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星期 四

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光伏模式产生的电压将具有非常小的动态范围,并且具有非线性特性。光电二极管在这种模式下工作其伏安特性随温度的变化非常小,是精密应用中比较常见的配置。这种模式不经过软件校准和交流耦合很容易产生很多暗电流,需要在运算放大器的选择上重点考

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VB---反向峰值击穿电压Vc---整流输入电压VB2B1---基极间电压VBE10---发射极与基极反向电压VEB---饱和压降VFM---最大正向压降(正向峰值电压)VF---正向压降(正向直流电压)△VF---正向压降差VD

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晶体管的结构及类型用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域,并形成两个PN结,就构成了晶体管。结构如图(a)所示,位于中间的P区称为基区,它很薄且杂质浓度很低;位于上层的N区是发射区,掺杂浓度很高;位于下层的N区是集电区,

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基本原理:当光照在二极管上时,被吸收的光能转换成电能。光电二极管工作在反向电压作用下,只通过微弱的电流(一般小于0.1微安),称为暗电流,有光照时,携带能量的光子进入PN结后,把能量传给共价键上的电子,使有些电子挣脱共价键,而产生

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光电二极管的主要要求之一是确保比较大量的光到达本征层。实现这一点的***方法之一是将电触点放置在设备的侧面,如图所示。这使得比较大量的光能够到达有效区域。发现由于衬底是重掺杂的,由于这不是有源区,因此几乎没有光损失。由于光在一定距

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