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晶体管内部载流子的运动=0时,晶体管内部载流子运动示意图如下图所示。1.发射结加正向电压,扩散运动形成发射极电流因为发射结加正向电压,发射区杂质浓度高,所以大量自由电子因扩散运动越过发射结到达基区。与此同时,空穴也从基区向发射区扩
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较常见的压敏电阻是金属氧化物压敏电阻(MOV,MetalOxideVaristor),它包含由氧化锌颗粒与少量其他金属氧化物或聚合物间隔构成的陶瓷块,夹于两金属片间。颗粒与邻近氧化物交界处会形成二极管效应,由于有大量杂乱颗粒,使得
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晶体管公共发射极(CE)配置:在此电路中,放置了发射极输入和输出通用。输入信号施加在基极和发射极之间,输出信号施加在集电极和发射极之间。Vbb和Vcc是电压。它具有高输入阻抗,即(500-5000欧姆)。它具有低输出阻抗,即(50
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较高反向工作电压VR:指二极管两端允许施加的较大反向电压。若大于此值,则反向电流(IR)剧增,二极管的单向导电性被破坏,从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。较大反向电流IR:它是二极管在较高反向工作电压
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光敏电阻应用电路1、光敏电阻调光电路一种典型的光控调光电路,其工作原理是:当周围光线变弱时引起光敏电阻RG的阻值增加,使加在电容C上的分压上升,进而使可控硅的导通角增大,达到增大照明灯两端电压的目的。反之,若周围的光线变亮,则RG