双向可控硅介绍“双向可控硅”:是在普通可控硅的基础上发展而成的,它能代替两只反极性并联的可控硅,而且需一个触发电路,是比较理想的交流开关器件。其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。两极双向可控硅用万用表测量好坏方法一:测量极间电阻法。将万用表置于皮R&TImes;1k档,如果测得T2-T1、T2-G之间的正反向电阻接近∞,而万用表置于R&TImes;10档测得T1-G之间的正反向电阻在几十欧姆时,就说明双向可控硅是好的,可以使用;反之,若测得T2-T1,、T2-G之间的正反向电阻较小甚或等于零.而Tl-G之间的正反向电阻很小或接近于零时.就说明双向可控硅的性能变坏或击穿损坏。不能使用;如果测得T1-G之间的正反向电阻很大(接近∞)时,说明控制极G与主电极T1之间内部接触不良或开路损坏,也不能使用。方法二:检查触发导通能力。万用表置于R&TImes;10档:①如图,1(a)所示,用黑表笔接主电极T2,红表笔接T1,即给T2加正向电压,再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后离开,如果表头指针发生了较大偏转并停留在一固定位置,说明双向可控硅中的一部分(其中一个单向可控硅)是好的,如图1(b)所示,改黑表笔接主电极T1,红表笔接T2,即给T1加正向电压。
电源电压为反向电压,加上感性负载自感电动势el作用,使得双向可控硅承受的电压值远远超过电源电压。虽然双向可控硅反向导通,但容易击穿,故必须使双向可控硅能承受这种反向电压。一般在双向可控硅两极间并联一个RC阻容吸收电路,实现双向可控硅过电压保护,图3中的C2、R8为RC阻容吸收电路。双向可控硅结构原理图双向可控硅属于NPNPN五层器件,三个电极分别是T1、T2、G。尽管从形式上可将双向可控硅看成两只普通可控硅的组合,但实际上它是由7只晶体管和多只电阻构成的功率集成器件。因该器件可以双向导通,故除门极G以外的两个电极统称为主端子,用T1、T2。表示,不再划分成阳极或阴极。其特点是,当G极和T2极相对于T1,的电压均为正时,T2是阳极,T1是阴极。反之,当G极和T2极相对于T1的电压均为负时,T1变成阳极,T2为阴极。双向可控硅由于正、反向特性曲线具有对称性,所以它可在任何一个方向导通。相比于单向可控硅,双向可控硅在原理上大的区别就是能双向导通,不再有阳极阴极之分,取而代之以T1和T2,其结构示意图如下图2(a)所示,如果不考虑G级的不同,把它分割成图2(b)所示,可以看出相当于两个单向可控硅反向并联而成,如图2(c)所示连接。
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