山西加工英飞凌可控硅 江苏芯钻时代电子科技供应

    故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0晶闸关处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下，从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结，从而提高起点流放大系数a2,产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结，并提高了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样强烈的正反馈过程迅速进行。从图3，当a1和a2随发射极电流增加而（a1+a2）≈1时，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia.这时，流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。晶闸管已处于正向导通状态。式（1—1）中，在晶闸管导通后，1-（a1+a2）≈0,即使此时门极电流Ig=0,晶闸管仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通。晶闸管在导通后，门极已失去作用。在晶闸管导通后，如果不断的减小电源电压或增大回路电阻，使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时，由于a1和a1迅速下降，当1-（a1+a2）≈0时，晶闸管恢复阻断状态。可控硅原理主要用途编辑可控硅原理整流普通可控硅基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成可控硅，就可以构成可控整流电路。我画一个简单的单相半波可控整流电路〔图4(a)〕。

    伏安特性类似二极管的反向特性可控硅的门极触发电流从门极流入可控硅，从阴极流出阴极是可控硅主电路与控制电路的公共端门极触发电流也往往是通过触发电路在门极和阴极之间施加触发电压而产生的可控硅的门极和阴极之间是PN结J3，其伏安特性称为门极伏安特性。为保证可靠、安全的触发，触发电路所提供的触发电压、电流和功率应限制在可靠触发区。15.可控硅特性1)开通过程延迟时间td：门极电流阶跃时刻开始，到阳极电流上升到稳态值的10%的时间。上升时间tr：阳极电流从10%上升到稳态值的90%所需的时间。开通时间tgt：以上两者之和，tgt=td+tr2)关断过程反向阻断恢复时间trr：正向电流降为零到反向恢复电流衰减至近于零的时间正向阻断恢复时间tgr：可控硅要恢复其对正向电压的阻断能力还需要一段时间在正向阻断恢复时间内如果重新对可控硅施加正向电压，可控硅会重新正向导通。实际应用中，应对可控硅施加足够长时间的反向电压，使可控硅充分恢复其对正向电压的阻断能力，电路才能可靠工作关断时间tq：trr与tgr之和，即tq=trr+tgr普通可控硅的关断时间约几百微秒，这是设计反向电压设计时间的依据。16.维持电流与IL擎住电流区别维持电流IH是从导通状态转变到阻断状态时。

江苏芯钻时代电子科技有限公司，专业从事电气线路保护设备和电工电力元器件模块的服务与销售，具有丰富的熔断器、电容器、IGBT模块、二极管、可控硅、IC类销售经验的专业公司。公司以代理分销艾赛斯、英飞凌系列、赛米控系列，富士系列等模块为主，同时经营销售美国巴斯曼熔断器、 西门子熔断器、美尔森熔断器、力特熔断器等电气保护。