IGBT各世代的技术差异回顾功率器件过去几十年的发展,1950-60年代双极型器件SCR,GTR,GTO,该时段的产品通态电阻很小;电流控制,控制电路复杂且功耗大;1970年代单极型器件VD-MOSFET。但随着终端应用的需求,需要一种新功率器件能同时满足:驱动电路简单,以降低成本与开关功耗、通态压降较低,以减小器件自身的功耗。1980年代初,试图把MOS与BJT技术集成起来的研究,导致了IGBT的发明。1985年前后美国GE成功试制工业样品(可惜后来放弃)。自此以后,IGBT主要经历了6代技术及工艺改进。
死区电路的作用是:实现上下管驱动信号有一定的时间间隔td,例如上管驱动信号关闭后,需要等待td延时后才能开通下管驱动信号;互锁电路的作用是:上下管驱动信号不能同时为有效,避免产生上下管驱动直通信号;保护电路的作用是:当副边出现故障信号是,保护电路能够同时关闭上下管驱动信号。15v电源输入滤波电路的作用是:对输入15v电源进行滤波,维持15v电源的稳定并且降低emc干扰。dc/dc电路的的作用是:15v电源高频脉宽调制dc/dc。隔离电路包括:驱动光耦、反馈光耦和隔离变压器。驱动光耦的作用是:传递原边驱动信号给副边电路,电气隔离原边低压侧和副边高压侧。反馈光耦的作用是:传递副边故障信号给原边电路,电气隔离原边低压侧和副边高压侧。隔离变压器的作用是:输出上下管驱动电源,电气隔离原边低压侧和副边高压侧。副边电路包括:±15v电源、驱动电路、vce-sat检测电路。±15v电源的作用是:输出igbt模块所推荐的驱动电源。驱动电路的作用是:副边驱动信号放大,推挽输出。vce-sat检测电路的作用是:检测igbt模块退饱和或过流信号,故障信号反馈给原边。vce-sat检测电路分别连接igbt模块、驱动电路和光耦隔离电路。
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