需指出的是:IGBT参数表中标出的IC是集电极比较大直流电流,但这个直流电流是有条件的,首先比较大结温不能超过150℃,其次还受安全工作区(SOA)的限制,不同的工作电压、脉冲宽度,允许通过的比较大电流不同。同时,各大厂商也给出了2倍于额定值的脉冲电流,这个脉冲电流通常是指脉冲宽度为1ms的单脉冲能通过的比较大通态电流值,即使可重复也需足够长的时间。如果脉冲宽度限制在10μs以内,英飞凌NPT-IGBT短路电流承受能力可高达10倍的额定电流值。这种短路也不允许经常发生,器件寿命周期内总次数不能大于1000次,两次短路时间间隔需大于1s。但对于PT型IGBT,这种短路总次数不能大于100次,这是由于NPT-IGBT过载能力、可靠性比PT型高的原因。在电力电子设备中,选择IGBT模块时,通常是先计算通过IGBT模块的电流值,然后根据电力电子设备的特点,考虑到过载、电网波动、开关尖峰等因素考虑一倍的安全余量来选择相应的IGBT模块。但严格的选择,应根据不同的应用情况,计算耗散功率,通过热阻核算具比较高结温不超过规定值来选择器件。通过比较高结温核标可选择较小的IGBT模块通过更大的电流,更加有效地利用IGBT模块。
通过电阻和igbt模块导通压降vce-sat的分压原理:,不检测故障,vce-sat检测被禁止,该状态下不检测vce,原因是igbt***状态vce电压为关断电压;下管vce-sat检测电路由r15,d12,r16构成vce-sat采样电路:当驱动信号drv_l为高电平(15v)时,通过电阻和igbt模块导通压降vce-sat的分压原理:,采样信号vce_h,r6和r7构成分压电路(通过r6和r7设定保护值),比较信号comp_h,通过vce_h与comp_h的比较实现vce饱和压降的检测,并输出故障信号fault_h:当vce_h小于comp_h,fault_h为高电平,正常状态;当vce_h大于comp_h,fault_h为低电平,报故障状态;当驱动信号drv_h为低电平(-15v)时,通过电阻和igbt模块导通压降vce-sat的分压原理:,不检测故障,vce-sat检测被禁止,该状态下不检测vce,原因是igbt***状态vce电压为关断电压;当fault_h为低电平时,光耦u1_out输出高电平,经过d5和v5后故障信号fault_p为低电平,对驱动信号进行***。下管vce-sat检测电路由r15,d12,r16构成vce-sat采样电路,采样信号vce_l,r13和r14构成分压电路(通过r13和r14设定保护值),比较信号comp_l,通过vce_l与comp_l的比较实现vce-sat的检测,并输出故障信号fault_l,当fault_l为低电平时。
江苏芯钻时代电子科技有限公司,专业从事电气线路保护设备和电工电力元器件模块的服务与销售,具有丰富的熔断器、电容器、IGBT模块、二极管、可控硅、IC类销售经验的专业公司。公司以代理分销艾赛斯、英飞凌系列、赛米控系列,富士系列等模块为主,同时经营销售美国巴斯曼熔断器、 西门子熔断器、美尔森熔断器、力特熔断器等电气保护。
免责声明: 本页面所展现的信息及其他相关推荐信息,均来源于其对应的商铺,信息的真实性、准确性和合法性由该信息的来源商铺所属企业完全负责。本站对此不承担任何保证责任。如涉及作品内容、 版权和其他问题,请及时与本网联系,我们将核实后进行删除,本网站对此声明具有最终解释权。
友情提醒: 建议您在购买相关产品前务必确认资质及产品质量,过低的价格有可能是虚假信息,请谨慎对待,谨防上当受骗。