通用模块装潢 江苏芯钻时代电子科技供应

背景技术：目前，国外标准型的igbt模块是由igbt(绝缘栅双极型晶体管芯片)与fwd(二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的igbt模块直接应用于变频器、ups不间断电源等设备上；igbt模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点，随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上越来越多见。然而，这种igbt模块的成本较高，严重制约了国内变流技术领域的发展。为了解决国外标准型igbt模块成本较高的问题，目前国内出现了一种将igbt单管并联后形成igbt模块的方案，这种igbt模块与国外相同技术参数规格下的标准型igbt模块相比，成本要低15％～20％，进而能够促进国内变流技术领域的发展；但是，这种igbt模块中的各igbt单管一般由螺钉固定在安装板上，这就降低了igbt模块的生产效率。

    IGBT与MOSFET的开关速度比较因功率MOSFET具有开关速度快，峰值电流大，容易驱动，安全工作区宽，dV/dt耐量高等优点，在小功率电子设备中得到了广泛应用。但是由于导通特性受和额定电压的影响很大，而且工作电压较高时，MOSFET固有的反向二极管导致通态电阻增加，因此在大功率电子设备中的应用受至限制。IGBT是少子器件，它不但具有非常好的导通特性，而且也具有功率MOSFET的许多特性，如容易驱动，安全工作区宽，峰值电流大，坚固耐用等，一般来讲，IGBT的开关速度低于功率MOSET，但是IR公司新系列IGBT的开关特性非常接近功率MOSFET，而且导通特性也不受工作电压的影响。由于IGBT内部不存在反向二极管，用户可以灵活选用外接恢复二极管，这个特性是优点还是缺点，应根据工作频率，二极管的价格和电流容量等参数来衡量。IGBT的内部结构，电路符号及等效电路如图1所示。可以看出，2020-08-30开关电源设计：何时选择BJT优于MOSFET开关电源电气可靠性设计1供电方式的选择集中式供电系统各输出之间的偏差以及由于传输距离的不同而造成的压差降低了供电质量，而且应用单台电源供电，当电源发生故障时可能导致系统瘫痪。分布式供电系统因供电单元靠近负载，改善了动态响应特性。

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