7)固定在底板(1)上,顶部具有定位凹槽的外壳(9)固定在底板(1)上;所述的主电极(6)为两个以上折边的条板,主电极(6)的内侧与连接桥板(5)固定连接,主电极(6)的另一侧穿出外壳(9)并覆在外壳(9)顶部,且覆在外壳(9)顶部的主电极(6)上设有过孔(61)并与壳体(9)上的定位凹槽(91)对应,下过渡层(4)、二极管芯片(3)、上过渡层(2)、连接桥板(5)、绝缘体(7)的外周以及主电极(6)的一侧灌注软弹性胶(8)密封。2、根据权利要求1所述的非绝缘双塔型二极管模块,其特征在于所述的连接桥板(5)为两端平板中部凸起的梯形。3、根据权利要求1所述的非绝缘双塔型二极管模块,其特征在于所述的连接桥板(5)为两端平板且中部凸起弓形。4、根据权利要求1所述的非绝缘双塔型二极管模块,其特征在于所述外壳(9)顶部的定位凹槽(91)的槽边至少设有两个平行的平面,且下部设有过孔。5、根据权利要求1所述的非绝缘双塔型二极管模块,其特征在于所述的绝缘体(7)是两面涂有或覆有金属层的陶瓷片。6、根据权利要求1所述的非绝缘双塔型二极管模块,其特征在于所述的上过渡层(2)为钼片或钨片或可伐片。7、根据权利要求1所述的非绝缘双塔型二极管模块,其特征在于所述的下过渡层(4)为钼片或钨片或可伐片。
通过电阻和igbt模块导通压降vce-sat的分压原理:,不检测故障,vce-sat检测被禁止,该状态下不检测vce,原因是igbt***状态vce电压为关断电压;下管vce-sat检测电路由r15,d12,r16构成vce-sat采样电路:当驱动信号drv_l为高电平(15v)时,通过电阻和igbt模块导通压降vce-sat的分压原理:,采样信号vce_h,r6和r7构成分压电路(通过r6和r7设定保护值),比较信号comp_h,通过vce_h与comp_h的比较实现vce饱和压降的检测,并输出故障信号fault_h:当vce_h小于comp_h,fault_h为高电平,正常状态;当vce_h大于comp_h,fault_h为低电平,报故障状态;当驱动信号drv_h为低电平(-15v)时,通过电阻和igbt模块导通压降vce-sat的分压原理:,不检测故障,vce-sat检测被禁止,该状态下不检测vce,原因是igbt***状态vce电压为关断电压;当fault_h为低电平时,光耦u1_out输出高电平,经过d5和v5后故障信号fault_p为低电平,对驱动信号进行***。下管vce-sat检测电路由r15,d12,r16构成vce-sat采样电路,采样信号vce_l,r13和r14构成分压电路(通过r13和r14设定保护值),比较信号comp_l,通过vce_l与comp_l的比较实现vce-sat的检测,并输出故障信号fault_l,当fault_l为低电平时。
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