所述第六电容c6的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的高压供电管脚hv,另一端连接所述合封整流桥的封装结构1的电源地管脚bgnd。具体地,所述第二电感l2连接于所述合封整流桥的封装结构1的电源地管脚bgnd与信号地管脚gnd之间。需要说明的是,本实施例增加所述电源地管脚bgnd实现整流桥的接地端与所述逻辑电路122的接地端分开,通过外置电感实现emi滤波,减小电磁干扰。同样适用于实施例一及实施例三的电源模组,不限于本实施例。需要说明的是,所述整流桥的设置方式、所述功率开关管与所述逻辑电路的设置方式,以及各种器件的组合可根据需要进行设置,不以本实用新型列举的几种实施例为限。另外,由于应用的多样性,本实用新型主要针对led驱动领域的三种使用整流桥的拓扑进行了示例,类似的结构同样适用于充电器/适配器等ac-dc电源领域等,尤其是功率小于25w的中小功率段应用,本领域的技术人员很容易将其推广到其他使用了整流桥的应用领域。本实用新型的拓扑涵盖led驱动的高压线性、高压buck、flyback三个应用,并可以推广到ac-dc充电器/适配器领域;同时,涵盖了分立高压mos与控制器合封、高压mos与控制器一体单晶的两种常规应用。
所述负载为led灯串,所述led灯串的正极连接所述高压供电管脚hv,负极连接所述漏极管脚drain。如图2所示,所述一采样电阻rcs1的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的采样管脚cs,另一端接地。本实施例的电源模组为非隔离场合的小功率led驱动电源应用,适用于高压线性(3w~12w)。实施例二如图3所示,本实施例提供一种合封整流桥的封装结构,与实施例一的不同之处在于,所述合封整流桥的封装结构还包括高压续流二极管df,且功率开关管121及逻辑电路122分立设置。如图3所示,在本实施例中,所述高压续流二极管df采用n型二极管,所述高压续流二极管df的负极通过导电胶或锡膏粘接于所述高压供电基岛13上,正极通过金属引线连接漏极基岛15,进而实现与所述漏极管脚drain的连接。需要说明的是,所述高压续流二极管df也可采用p型二极管,粘接于漏极基岛15上,在此不一一赘述。如图3所示,所述功率开关管121的漏极通过导电胶或锡膏粘接于所述漏极基岛15上,源极s通过金属引线连接所述采样管脚cs。所述逻辑电路122为芯片结构,其底面为绝缘材料,设置于所述信号地基岛14上,控制信号输出端out通过金属引线连接所述功率开关管121的栅极g,采样端口cs通过金属引线连接所述采样管脚cs。
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