正向导电,反向不导电)晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成了空间电荷层,并且建有自建电场,当不存在外加电压时,因为p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当产生正向电压偏置时,外界电场与自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流(也就是导电的原因)。当产生反向电压偏置时,外界电场与自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围中与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0(这也就是不导电的原因)。当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。二极管原理反向击穿编辑反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。雪崩击穿另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时。
稳压源,放大器以及电子仪器的保护电路等瞬态电压抑制二极管又称瞬变电压抑制二极管,双向击穿二极管,简称TVS。瞬态抑制二极管不会被击穿,它能够在电压极高时降低电阻,使电流分流或控制其流向,从而保护电路元件在瞬间电压过高的情况下不被烧毁。双向触发二极管又称二端交流器件DIAC或双向二极管。常用来出发双向晶闸管,还可构成过压保护电路等。变阻二极管变阻二极管是利用PN结之间等效电阻可变的原理制成的,主要应用于10-1000MHz高频电路或开关电源等电路,做可调衰减器,起限幅,保护等作用。隧道二极管又称江崎二极管,它是以隧道效应电流为主要电流分量的二极管,结构简单,变化速度快,功耗小。在高速脉冲计数中有广泛应用。可用隧道二极管构成双稳电路,单稳电路,多谐振荡器,以及用作整形和分频。双基极二极管又称单节晶体管,是具有一个PN结的三端负阻器件。广泛应用于各种振荡器,定时器和控制器电路中磁敏二极管磁敏二极管可以在较弱的磁场作用下,产生较高的输出电压,并随着磁场方向的改变同步输出变化的正、负电压。在磁力探测,电流测量,无触点开关,位移测量,转速测量,无刷直流电机的自动控制等方面得到广泛应用。温敏二极管在一定偏置电流下。
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