（四）发光二极管的检测1．性能好坏的判断用万用表R×10k档，测量发光二极管的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值（黑表笔接正极时）约为10~20kΩ，反向电阻值为250kΩ~∞（无穷大）。较高灵敏度的发光二极管，在测量正向电阻值时，管内会发微光。若用万用表R×1k档测量发光二极管的正、反向电阻值，则会发现其正、反向电阻值均接近∞（无穷大），这是因为发光二极管的正向压降大于（高于万用表R×1k档内电池的电压值）的缘故。用万用表的R×10k档对一只220μF/25V电解电容器充电（黑表笔接电容器正极，红表笔接电容器负极），再将充电后的电容器正极接发光二极管正极、电容器负极接发光二极管负极，若发光二极管有很亮的闪光，则说明该发光二极管完好。也可用3V直流电源，在电源的正极串接1只33Ω电阻后接发光二极管的正极，将电源的负极接发光二极管的负极（见图4-74），正常的发光二极管应发光。或将1节电池串接在万用表的黑表笔（将万用表置于R×10或R×100档，黑表笔接电池负极，等于与表内的电池串联），将电池的正极接发光二极管的正极，红表笔接发光二极管的负极，正常的发光二极管应发光。可以根据负载的情况选择接近的稳压值，比如5V的负载可以选择的稳压二极管。深圳肖特基二极管
用万用表判断半导体三极管的极性和类型(用指针式万用表).a;先选量程：R﹡100或R﹡1K档位.b;判别半导体三极管基极：用万用表黑表笔固定三极管的某一个电极，红表笔分别接半导体三极管另外两各电极，观察指针偏转，若两次的测量阻值都大或是都小，则改脚所接就是基极（两次阻值都小的为NPN型管，两次阻值都大的为PNP型管），若两次测量阻值一大一小，则用黑笔重新固定半导体三极管一个引脚极继续测量，直到找到基极。c;.判别半导体三极管的c极和e极：确定基极后，对于NPN管，用万用表两表笔接三极管另外两极，交替测量两次，若两次测量的结果不相等，则其中测得阻值较小得一次黑笔接的是e极，红笔接得是c极（若是PNP型管则黑红表笔所接得电极相反）。d;判别半导体三极管的类型.深圳肖特基二极管晶体管设计，就选深圳市凯轩业科技，让您满意，期待您的光临！
一：二极管的分类1、按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。2、根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。3、按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。1）整流二极管将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管。2）检波二极管检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。
利用TVS的钳位特性，将8kV危险浪涌电压削减到10V的安全电压。需要注意的是，以上电路应满足Rggt;RSRLoadgt;RS这一条件。TVS在TN电源系统的应用雷电过电压波、负载开关等人为操作错误引起的过电压容易通过供电线路侵入电气电子设备内部，造成电气电子设备失效、误动作，甚至造成设备的损坏，造成严重经济损失。稳定电流IZ指管子在正常工作时的参考电流值，其值在稳压区域的大电流IZmax与小电流IZmin之间。通过在电源线路上安装浪涌吸收装置MOV和TVS,实施两级保护，并对L、N线进行共模、差模保护。具体做法是在线路的前端安装MOV作为弟1级SPD保护，泄放大部分雷电流，在线路的末端（设备前端）安装大功率TVS作为弟二级SPD保护，进一步削弱过电压波幅值，将电网电压降至E/I安全耐压范围之内，如图3所示。要注意的是，MOV与TVS应达到电压和能量的协调与配合，AB之间的线路长度不应小于5m,则应增加线路长度或安装退耦器件。晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。
三极管，是一种具有三个电极的装置，也称为双极型晶体管、晶体三极管，实质上就是一块半导体基片上的两个PN结将其隔成基区、发射区和集电区，从而引出基极、发射机和集电极三个电极，按结构可将其分为NPN型和PNP型。三极管是一种电流控制电流的半导体器件，具有电流放大、用作开关、代换等多种作用，现已***存在于各电路中。TVS的钳位特性TVS属限压型浪涌保护器件，能对过电压起钳位作用，将浪涌电压限制在安全耐压范围内，从而保护后面的负载电路。根据电路的基本理论，按照环路电压分析法，从图2可以看出，电路的输出电压Voutput可由式（1）得到：若设浪涌电压Vg为8kV,Rg为330Ω，RS为Ω，TVS的VBR为6V,则i≈24A,那么由式（1）得Voutput=10V.。晶体管设计，就选深圳市凯轩业科技。深圳肖特基二极管
稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。深圳肖特基二极管
CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，；表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容。
IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流
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