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半导体二极管1、英文缩写：D(Diode)，电路符号是2、半导体二极管的分类分类：a按材质分：硅二极管和锗二极管；b按用途分：整流二极管，检波二极管，稳压二极管，发光二极管，光电二极管，变容二极管。3、半导体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如：D5表示编号为5的半导体二极管。4、半导体二极管的导通电压是:a;硅二极管在两极加上电压,并且电压大于0.6V时才能导通,导通后电压保持在0.6-0.8V之间.B;锗二极管在两极加上电压,并且电压大于0.2V时才能导通,导通后电压保持在0.2-0.3V之间.5、半导体二极管主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。6、半导体二极管可分为整流、检波、发光、光电、变容等作用。肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管。深圳三极管

3）开关二极管在脉冲数字电路中，用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管，它的特点是反向恢复时间短，能满足高频和超高频应用的需要。4)稳压二极管稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管，它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点，来达到稳压的目的，因为它能在电路中起稳压作用，故称为、稳压二极管（简称稳压管）。5）变容二极管变容二极管是利用PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被***地用于参量放大器，电子调谐及倍频器等微波电路中。深圳三极管前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~！电气特性当然都是二极管阿！

在三极管be之间增加偏置电阻，测量Vce击穿电压下图中给出了Rbe分别去2k,51k,100k的情况下，C、E的电压电流曲线。可以看到C、E的击穿电压位于Vceo与Vcbo之间。所以在正常设计三极管电路的时候，需要根据等效的Rbe数值来对三极管的耐压余量进行选择。在不同的Rbe的阻值下，Vce的击穿电压曲线由于三极管的发射区掺杂浓度很高，B、E之间的反向击穿电压往往小于10V。因此，在使用三极管的时候，如果错把集电极和发射极弄混，除了会引起电流放大倍数的下降之外，因为Vebo,Vceo的差异，电路中的三极管的也会被击穿。和二极管一样，半导体器件的参数往往离散型很大。下面是两个不同批次的S8050的Vceb的耐压曲线。反向击穿电压相差30%左右。两个不同批次的S8050Vceo的电压

三极管是一种控制元件，三极管的作用非常的大，可以说没有三极管的发明就没有现代信息社会的如此多样化，电子管是他的前身，但是电子管体积大耗电量巨大，现在已经被淘汰。三极管主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大。反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动。深圳市凯轩业电子科技有限公司。

由于浪涌电流会使二极管在很短的时间内产生大量热，结温快速上升，长治肖特基二极管，在器件内部产生机械应力，因此对于大功率二极管模块而言，机械应力容易造成芯片与绝缘基板开裂，浪涌电流要留有足够的余量。晶体三极管有几种型号呢检测晶体三极管时，选择反应灵敏的指针万用表。将万用表的量程调整至挡，并进行调零校正。将万用表的黑表表笔搭在假设的基极(b)引脚处，红表笔分别接集电极(c)和发射极（e）引脚处。观察万用表的读数。若测得的两个阻值均为低阻值则黑表笔所接引脚为基极，待测的晶体三极管为NPN型；若测得的阻值为高阻值（约为无穷大），则待测的晶体三极管为PNP型。深圳市凯轩业科技为您供应晶体管设计，欢迎新老客户来电！深圳三极管

硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。深圳三极管

一：二极管的分类1、按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。2、根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。3、按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。1）整流二极管将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管。2）检波二极管检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。深圳三极管