很难装入PEARSON探头,更多的采用Rogowski-coil。需要注意的是Rogowski-coil的延时会比较大,而且当电流变化率超过3600A/μs时,Rogowski-coil会有比较明显的误差。关于测试探头和延时匹配也可同仪器厂家确认。图3-1IGBT关断过程DUT:FF600R12ME4;CH2(绿色)-VGE,CH3(蓝色)-ce,CH4(红色)-Ic图3-2IGBT开通过程首先固定电压和温度,在不同的电流下测试IGBT的开关损耗,可以得出损耗随电流变化的曲线,并且对曲线进行拟合,可以得到损耗的表达式。该系统的直流母线电压小为540V,高为700V。而系统的IGBT的结温的设计在125℃和150℃之间。分别在540V和700V母线电压,及125℃和150℃结温下重复上述测试,可以得到一系列曲线,如图4所示。图4:在不同的电流输入条件下,以电压和温度为给定条件的IGBT的开关损耗曲线依据图4给出的损耗测试曲线,可以依据线性等效的方法得到IGBT的开通损耗和关断损耗在电流,电压,结温下的推导公式。同理也可以得到Diode在给定系统的电压,电流,结温设计范围内的反向恢复损耗的推导公式:图5:在不同的电流输入条件下。
TC=℃)------通态平均电流VTM=V-----------通态峰值电压VDRM=V-------------断态正向重复峰值电压IDRM=mA-------------断态重复峰值电流VRRM=V-------------反向重复峰值电压IRRM=mA------------反向重复峰值电流IGT=mA------------门极触发电流VGT=V------------门极触发电压执行标准:QB-02-091.晶闸管关断过电压(换流过电压、空穴积蓄效应过电压)及保护晶闸管从导通到阻断,线路电感(主要是变压器漏感LB)释放能量产生过电压。由于晶闸管在导通期间,载流子充满元件内部,在关断过程中,管子在反向作用下,正向电流下降到零时,元件内部残存着载流子。这些载流子在反向电压作用下瞬时出现较大的反向电流,使残存的载流子迅速消失,这时反向电流减小即diG/dt极大,产生的感应电势很大,这个电势与电源串联,反向加在已恢复阻断的元件上,可导致晶闸管反向击穿。这就是关断过电压(换相过电压)。数值可达工作电压的5~6倍。保护措施:在晶闸管两端并接阻容吸收电路。2.交流侧过电压及其保护由于交流侧电路在接通或断开时出现暂态过程,会产生操作过电压。高压合闸的瞬间,由于初次级之间存在分布电容,初级高压经电容耦合到次级,出现瞬时过电压。
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